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Startseite Integrierte Schaltkreise (ICs) Speicher Speicher W25N04KVZEIR

W25N04KVZEIR Winbond 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6), Draufsicht

W25N04KVZEIR Winbond 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6) functional block diagram

W25N04KVZEIR Winbond 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6)

Name: W25N04KVZEIR Winbond 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6)
Brand: Winbond Electronics
SKU: W25N04KVZEIR

Hersteller

Winbond Electronics

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W25N04KVZEIR

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W25N04KVZEIR

W25N04KVZEIR overview

W25N04KVZEIR Winbond 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6). Key ratings: supply voltage 2.7V ~ 3.6V; operating temperature -40°C ~ 85°C; clock frequency up to 104 MHz. Typical applications: xDSL; Gigabit Passive Optical Network (GPON).

W25N04KVZEIR

W25N04KVZEIR specifications

Typ	Beschreibung
Part Status	Active
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C
Package / Case	8-WDFN Exposed Pad
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V
Supplier Device Package	8-WSON (8x6)
Technology	FLASH - NAND
Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH
Memory Size	4Gbit
Memory Organization	512M x 8
Memory Interface	SPI - Quad I/O
Clock Frequency	104 MHz
Write Cycle Time - Word, Page	250µs
Programmable	Not Verified

W25N04KVZEIR

W25N04KVZEIR features

SPI NAND flash memory with 4G-bit / 512M-Byte density and Standard/Dual/Quad SPI interface
104MHz Standard/Dual/Quad SPI clocks with 208/416MHz equivalent Dual/Quad SPI and 50MB/S sequential data transfer rate
Single 2.7 to 3.6V supply with 25mA active, 20µA standby, 2µA DPD, and -40°C to +85°C/105°C operating range
WSON-8 package
60,000 erase/program cycles and 10-year data retention with uniform 128K-Byte block erase

W25N04KVZEIR

auto.lang_product_h2_applications

xDSL
Gigabit Passive Optical Network (GPON)
IP camera
Surveillance

W25N04KVZEIR

W25N04KVZEIR datasheet

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W25N04KVZEIR alternatives

GD25Q128ESIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited package outline drawing

GD25Q128ESIG Beschreibung: Verpackung:

GD5F2GM7UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited package outline drawing

GD5F2GM7UEYIGR Beschreibung: Verpackung:

GD25B512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited package outline drawing

GD25B512MEYIGR Beschreibung: Verpackung:

GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited — kein Foto

GD5F4GQ6UEYIGR Beschreibung: 4Gb, 3.3V, 104MHz, SPI NAND (SLC), High Capacity Verpackung: WSON8

GD25Q128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited — kein Foto

GD25Q128ESIGR Beschreibung: 128Mb, 3.3V, 133MHz, SPI NOR, Quad I/O Verpackung: SOP8

GD5F2GM7REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited — kein Foto

GD5F2GM7REYIGR Beschreibung: 2Gb, 1.8V, 104MHz, SPI NAND (SLC), Quad I/O Verpackung: WSON8

HN8T174EJKX075R Beschreibung: flash-ufs4.0-256GB Verpackung: FBGA

F35UQA512M-WWR Lexar Enterprise — kein Foto

F35UQA512M-WWR Beschreibung: SPI SLC NAND FLASH 512MBIT Verpackung: Cut Tape (CT)

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Welche Prüfoptionen bieten Sie für W25N04KVZEIR vor der Zahlung?

ICLee ist unabhängiger Distributor — kein autorisierter Franchise-Händler. Für W25N04KVZEIR (FLASH / 8-WDFN Exposed Pad) vereinbaren wir vor Zahlung IQC-Tiefe: Etikett vs. ERP, Sichtprüfung, Röntgen-Stichprobe oder Funktionstest laut Angebot. Siehe unsere Seite Qualitätskontrolle. Qualitätskontrolle →

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Wir arbeiten mit DHL, FedEx und UPS für zuverlässigen Luftexpress; Seefracht auf Anfrage. Versandoptionen und Kosten für W25N04KVZEIR stehen in Ihrem formellen Angebot — nicht im Online-Checkout. Lagernde HK/SZ-Positionen versenden wir typischerweise innerhalb von 24–48 h nach Bestätigung. Versand & Lieferung →

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