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Startseite Integrierte Schaltkreise (ICs) Speicher Speicher GD5F4GQ6UEYIGR

GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6mm) — kein Foto

GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6mm)

Name: GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6mm)
Brand: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
SKU: GD5F4GQ6UEYIGR

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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200

Teil #

GD5F4GQ6UEYIGR

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WSON8

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GD5F4GQ6UEYIGR

GD5F4GQ6UEYIGR overview

GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice 0.5GB (4Gbit) FLASH 8-WSON (8x6mm). Key ratings: supply voltage 2.7V ~ 3.6V; operating temperature -40℃ ~ 85℃ (TA); clock frequency up to 104 MHz. Typical applications: Code and data storage in embedded systems; Firmware boot and execute-in-place (XIP) from SPI NAND.

GD5F4GQ6UEYIGR

GD5F4GQ6UEYIGR specifications

Typ	Beschreibung
Part Status	Active
Grade	Industrial
Qualification	RoHS Compliant
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-40℃ ~ 85℃ (TA)
Package / Case	8-WDFN Exposed Pad
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V
Supplier Device Package	8-WSON (8x6mm)
Technology	FLASH - NAND (SLC)
Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH
Memory Size	4Gbit
Memory Organization	512M ×8
Memory Interface	SPI - Quad I/O, DTR
Clock Frequency	104 MHz
Write Cycle Time - Word, Page	250µs, 2ms

GD5F4GQ6UEYIGR

GD5F4GQ6UEYIGR features

4Gb SLC SPI NAND Flash with Standard, Dual, Quad SPI and DTR interface
Page read time 60us maximum, page program time 300us typical, block erase time 3ms typical
WSON-8 package
8K-Byte OTP region and internal ECC on by default (ECC_EN=1)

GD5F4GQ6UEYIGR

auto.lang_product_h2_applications

Code and data storage in embedded systems
Firmware boot and execute-in-place (XIP) from SPI NAND
Parameter and configuration storage
Data logging in compact embedded designs
OTP-based secure key or ID storage

GD5F4GQ6UEYIGR alternatives

GD25Q128ESIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited package outline drawing

GD25Q128ESIG Beschreibung: Verpackung:

GD5F2GM7UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited package outline drawing

GD5F2GM7UEYIGR Beschreibung: Verpackung:

GD25B512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited package outline drawing

GD25B512MEYIGR Beschreibung: Verpackung:

GD25Q128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited — kein Foto

GD25Q128ESIGR Beschreibung: 128Mb, 3.3V, 133MHz, SPI NOR, Quad I/O Verpackung: SOP8

GD5F2GM7REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited — kein Foto

GD5F2GM7REYIGR Beschreibung: 2Gb, 1.8V, 104MHz, SPI NAND (SLC), Quad I/O Verpackung: WSON8

HN8T174EJKX075R Beschreibung: flash-ufs4.0-256GB Verpackung: FBGA

F35UQA512M-WWR Lexar Enterprise — kein Foto

F35UQA512M-WWR Beschreibung: SPI SLC NAND FLASH 512MBIT Verpackung: Cut Tape (CT)

MX25L25673GZ4I40A Beschreibung: SERIAL NOR Verpackung: Tray

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Welche Prüfoptionen bieten Sie für GD5F4GQ6UEYIGR vor der Zahlung?

ICLee ist unabhängiger Distributor — kein autorisierter Franchise-Händler. Für GD5F4GQ6UEYIGR (FLASH / 8-WDFN Exposed Pad) vereinbaren wir vor Zahlung IQC-Tiefe: Etikett vs. ERP, Sichtprüfung, Röntgen-Stichprobe oder Funktionstest laut Angebot. Siehe unsere Seite Qualitätskontrolle. Qualitätskontrolle →

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